文明驾驶，安全出行，让交通规则成为我们的行为准则。现在还有好多人不知道AOS发布αMOS5™ 600V FRD 95mohm和125mohm超结MOSFET 适合电动汽车充电应用，接下来我们小编就来分享一下。
据外媒报道，阿尔法和欧米伽半导体公司（Alpha and Omega Semiconductor，AOS）宣布推出两款αMOS5™ 600V FRD超结MOSFET。αMOS5™是AOS经过市场和应用验证的高压MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电动汽车充电、电机驱动器和工业电力应用的高效率和高密度需求。
目前，中高功率开关模式电源（SMPS）和太阳能逆变器系统设计面临四个主要挑战，包括提高效率和密度、降低系统成本和不影响稳健性。高压超结MOSFET是单/交错/双升压/临界导通模式（CrCM）无桥图腾柱功率因数校正（TP PFC）、谐振变换器（LLC）、相移全桥（PSFB）和多级中性点箝位型/混合有源中性点箝位（NPC/ANPC）等拓扑结构的主要选择。
作为先进的高压超结（High Voltage Super Junction）解决方案，αMOS5™专为实现关键任务应用中的快速开关、易用性和稳健性而定制。αMOS5™ FRD FET采用强大的固有体二极管设计，可在自由旋转二极管因异常操作（如短路或启动瞬态）而处于反向恢复状态时处理硬换相（hard commutation）情况。
此次发布的两款产品AOK095A60FD（TO-247）和AOTF125A60FDL（TO-220F）是600V FRD FET，最大导通电阻分别为95mohm和125mohm。在测试过程中，这两种FRD FET的体二极管都能在异常系统条件下（甚至在升至150°C的结温下）承受高电流变化率（di/dt）。此外，AOS测试表明，这些器件的开关损耗（Eoff）明显低于竞品，有助于在轻负载或中负载条件下提高效率。
AOS产品线和全球电源业务高级总监Richard Zhang表示：“我们将产品定义为适合传统电源，以及太阳能逆变器和储能系统（ESS）的DC/DC和DC/AC转换器，这些系统需要双向拓扑结构。随着储能逆变器迅速发展，高压电池在交流耦合系统中的应用越来越多。AOK095A60FD和AOTF125A60FDLL将成为双向DC/DC和逆变器/PFC应用的先进解决方案，这些应用服务于广泛的电源、太阳能光伏逆变器和ESS混合转换器。”
技术亮点
坚固耐用的快速恢复二极管（FRD），具有较低的反向恢复电荷（Qrr），适用于高要求用例；
专为硬开关和软开关拓扑而设计，具有超低开关损耗；
强大的用户接口规格（UIS）和安全工作区（SOA）性能；
专为防止自开启而设计；
适用于LLC、PSFB、CrCM推拉输出电路、多级NPC和CrCM H-4/交交变频电路（Cyclo）逆变器应用。
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