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据外媒报道，新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟中心(SMART）低能耗电子系统（LEES）跨学科研究小组，与麻省理工学院(MIT)和新加坡国立大学(NUS)的研究人员发现了一种方法，可以量化在不同铟浓度下氮化铟镓(InGaN)量子阱中的成分波动状况。
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