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意法半导体推出第三代碳化硅功率器件 标称额定电压从650V、750V到1200V

据外媒报道,意法半导体公司(STMicroelectronics)推出第三代STPOWER碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),在电动汽车动力系统,以及其他对功率密度、能源效率和可靠性要求严格的。

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据外媒报道,意法半导体公司(STMicroelectronics)推出第三代STPOWER碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),在电动汽车动力系统,以及其他对功率密度、能源效率和可靠性要求严格的应用中,可用于控制功率。作为SiC功率MOSFET的市场领导者,意法半导体结合领先的新设计技术,以进一步挖掘SiC的节能潜力。

随着电动汽车市场迅猛发展,汽车制造商和供应商纷纷采用800V驱动系统,以加快充电速度,并减轻重量,生产续航更长的汽车。ST的新型SiC器件专门针对这些高端汽车应用进行优化,包括EV牵引逆变器(traction inverter)、车载充电器、DC/DC转换器以及电子气候压缩机(e-climate compressor)。新一代产品也适合工业应用,能够提高工业电机驱动器、可再生能源发电机和存储系统以及电信和数据中心电源的效率。

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