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1月10日,新加坡科学、技术和研究机构(A*STAR)的微电子研究所(IME)和法国半导体材料公司Soitec宣布开展研究合作,开发下一代碳化硅(SiC)半导体器件,为电动汽车和先进高压电子设备提供动力。双方将利用Soitec的专有技术,如Smart Cut™和IME的试验生产线来制造直径为200 mm的SiC半导体基板。
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