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据外媒报道，美格纳半导体公司（Magnachip Semiconductor Corporation）宣布已开始全面量产其新型30V MXT LV金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），以用于电动助力转向（EPS）系统的电子控制单元（ECU）。
该新型30V MXT LV MOSFET可为EPS提供稳定的电源，通过电动机辅助车辆的方向控制。该产品还遵循严格的AEC-Q101标准，并保证-55°C至175°C的宽工作结温范围。
新产品在厚栅极氧化物中采用了高度坚固的沟槽MOSFET结构，可提供低电阻和出色的开关特性。这些功能可降低应用中的开关噪声，并通过高电源效率增强系统性能。此外，通过应用3.3mm x 3.3mm的PDFN 33封装，缩小了产品尺寸，有利于ECU的灵活设计选项。
美格纳首席执行官YJ Kim表示：“美格纳用于EPS的新型紧凑且高度可靠的MOSFET展示了我们差异化的技术能力。我们将凭借创新的电源解决方案和严格的质量控制程序，积极拓展汽车领域。”
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