路援帮 汽车资讯 AOS发布αMOS5™ 600V FRD 95mohm和125mohm超结MOSFET 适合电动汽车充电应用

AOS发布αMOS5™ 600V FRD 95mohm和125mohm超结MOSFET 适合电动汽车充电应用

据外媒报道,阿尔法和欧米伽半导体公司(Alpha and Omega Semiconductor,AOS)宣布推出两款αMOS5™ 600V FRD超结MOSFET。αMOS5™是AOS经过市场和应用。

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据外媒报道,阿尔法和欧米伽半导体公司(Alpha and Omega Semiconductor,AOS)宣布推出两款αMOS5™ 600V FRD超结MOSFET。αMOS5™是AOS经过市场和应用验证的高压MOSFET平台,旨在满足服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电动汽车充电、电机驱动器和工业电力应用的高效率和高密度需求。

目前,中高功率开关模式电源(SMPS)和太阳能逆变器系统设计面临四个主要挑战,包括提高效率和密度、降低系统成本和不影响稳健性。高压超结MOSFET是单/交错/双升压/临界导通模式(CrCM)无桥图腾柱功率因数校正(TP PFC)、谐振变换器(LLC)、相移全桥(PSFB)和多级中性点箝位型/混合有源中性点箝位(NPC/ANPC)等拓扑结构的主要选择。

AOS发布αMOS5™ 600V FRD 95mohm和125mohm超结MOSFET 适合电动汽车充电应用

作为先进的高压超结(High Voltage Super Junction)解决方案,αMOS5™专为实现关键任务应用中的快速开关、易用性和稳健性而定制。αMOS5™ FRD FET采用强大的固有体二极管设计,可在自由旋转二极管因异常操作(如短路或启动瞬态)而处于反向恢复状态时处理硬换相(hard commutation)情况。

此次发布的两款产品AOK095A60FD(TO-247)和AOTF125A60FDL(TO-220F)是600V FRD FET,最大导通电阻分别为95mohm和125mohm。在测试过程中,这两种FRD FET的体二极管都能在异常系统条件下(甚至在升至150°C的结温下)承受高电流变化率(di/dt)。此外,AOS测试表明,这些器件的开关损耗(Eoff)明显低于竞品,有助于在轻负载或中负载条件下提高效率。

AOS产品线和全球电源业务高级总监Richard Zhang表示:“我们将产品定义为适合传统电源,以及太阳能逆变器和储能系统(ESS)的DC/DC和DC/AC转换器,这些系统需要双向拓扑结构。随着储能逆变器迅速发展,高压电池在交流耦合系统中的应用越来越多。AOK095A60FD和AOTF125A60FDLL将成为双向DC/DC和逆变器/PFC应用的先进解决方案,这些应用服务于广泛的电源、太阳能光伏逆变器和ESS混合转换器。”

技术亮点

坚固耐用的快速恢复二极管(FRD),具有较低的反向恢复电荷(Qrr),适用于高要求用例;

专为硬开关和软开关拓扑而设计,具有超低开关损耗;

强大的用户接口规格(UIS)和安全工作区(SOA)性能;

专为防止自开启而设计;

适用于LLC、PSFB、CrCM推拉输出电路、多级NPC和CrCM H-4/交交变频电路(Cyclo)逆变器应用。

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