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忆阻器是一类能够保持其内阻的器件，与使用集成电路的传统器件相比，具有优越的性能。研究人员探索使用几种材料来制造这些器件，近年来过渡金属氧化物逐渐在这方面得到广泛应用。
随着忆阻器在人工智能系统等不同领域的应用日益广泛，现在必须解决与数据保留、耐用性和大量电导状态等相关的多个问题。此外，单独制造这些器件耗费的时间很长，为了提高其性能和可靠性，也需要解决一些挑战性问题。
据外媒报道，最近，在韩国三育大学（Sahmyook University）Min Kyu Yang教授领导的一项研究中，研究人员开发出银（Ag）扩散硫系化合物薄膜，可用作忆阻器中的电阻开关材料。
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